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平常使用的色环电阻可以分为四环和五环,通常用四环。其中四环电阻前二环为数字,第三环表示阻值倍乘的数,最后一环为误差;五环电阻前三环为数字,第四环表示阻值倍乘的数,最后一环为误差。误差通常也是金、银和棕三种颜色,金的误差为5%,银的误差为10%,棕色的误差为1%,无色的误差为20%,另外偶尔还有以绿色代表误差的,绿色的误差为0.5%。精密电阻通常用于军事,航天等方面。 色环电阻在最早期是为了帮助人们分辨阻值,因为色环电阻比较大,在当今高度集成的情况下,色环电阻已经用的比较少了。  四色环电阻 就是指用四条色环表示阻值的电阻,从左向右数,第一道色环表示阻值的最大一位数字;第二道色环表示阻值的第二位数字;第三道色环表示阻值倍乘的数;第四道色环表示阻值允许的偏差(精度)。  例如一个电阻的第一环为红色(代表2)、第二环为紫色(代表7)、第三环为棕色(代表10倍)、第四环为金色(代表±5%),那么这个电阻的阻值应该是270Ω,阻值的误差范围为±5%。  如果电阻色环不好分辩出那个是第一个色环,最简单的方法就是“第四环”不是金色就是银色,而颜色会出现的银少(只对四环电阻有用,五环电阻不适用)。  五色环电阻就是指用五色色环表示阻值的电阻,从左向右数,第一道色环表示阻值的最大一位数字;第二道色环表示阻值的第二位数字;第三道色环表示阻值的第三位数字;第四道色环表示阻值的倍乘数;第五道色环表示误差范围。  例如以个五色环电阻,第一环为红(代表2)、第二环为红(代表2)、第三环为黑(代表0)、第四环为黑(代表1倍)、第五环为棕色(代表±1%),则其阻值为220Ω1=220Ω,误差范围为±1%。  就是指用六色环表示阻值的电阻,六色环电阻前五色环与五色环电阻表示方法一样,第六色环表示该电阻的温度系数。只在有特定要求的场合下的电子产品才会使用,一般使用非常少。  电容(Capacitance)亦称作“电容量”,是指在给定电位差下自由电荷的储藏量,记为C,国际单位是法拉(F)。一般来说,电荷在电场中会受力而移动,当导体之间有了介质,则阻碍了电荷移动而使得电荷累积在导体上,造成电荷的累积储存,储存的电荷量则称为电容。  电容是指容纳电荷的能力。任何静电场都是由许多个电容组成,有静电场就有电容,电容是用静电场描述的。一般认为:孤立导体与无穷远处构成电容,导体接地等效于接到无穷远处,并与大地连接成整体。  电容(或称电容量)是表现电容器容纳电荷本领的物理量。电容从物理学上讲,它是一种静态电荷存储介质,可能电荷会永久存在,这是它的特征,它的用途较广,它是电子、电力领域中不可缺少的电子元件。主要用于电源滤波、信号滤波、信号耦合、谐振、滤波、补偿、充放电、储能、隔直流等电路中。  电容通常分为mlcc、高压电容、贴片电容、薄膜电容、贴片钽电容、铝电解电容、安规电容、超级电容、插件电容、陶瓷电容等。这里我们主要介绍瓷片电容和铝电解电容。  电容在电路中一般用“C”加数字表示(如C13表示编号为13的电容)。电容是由两片金属膜紧靠,中间用绝缘材料隔开而组成的元件。电容的特性主要是隔直流通交流。  电容容量的大小就是表示能贮存电能的大小,电容对交流信号的阻碍作用称为容抗,它与交流信号的频率和电容量有关。  容抗XC=1/2πf c (f表示交流信号的频率,C表示电容容量)电话机中常用电容的种类有电解电容、瓷片电容、贴片电容、独石电容、钽电容和涤纶电容等。  识别方法:电容的识别方法与电阻的识别方法基本相同,分直标法、色标法和数标法3种。电容的基本单位用法拉(F)表示,单位还有:毫法(mF)、微法(uF)、纳法(nF)、皮法(pF)。其中:1法拉=103毫法=106微法=109纳法=1012皮法  检测10pF以下的小电容——因10pF以下的固定电容器容量太小,用万用表进行测量,只能定性的检查其是否有漏电,内部短路或击穿现象。  测量时,可选用万用表10k挡,用两表笔分别任意接电容的两个引脚,阻值应为无穷大。若测出阻值(指针向右摆动)为零,则说明电容漏电损坏或内部击穿。  检测10PF~0 01μF固定电容器是否有充电现象,进而判断其好坏。万用表选用1k挡。两只三极管的β值均为100以上,且穿透电流要小。  选用3DG6等型号硅三极管组成复合管。万用表的红和黑表笔分别与复合管的发射极e和集电极c相接。由于复合三极管的放大作用,把被测电容的充放电过程予以放大,使万用表指针摆幅度加大,从而便于观察。  对于0 01μF以上的固定电容,可用万用表的10k挡直接测试电容器有无充电过程以及有无内部短路或漏电,并可根据指针向右摆动的幅度大小估计出电容器的容量。  应注意的是:在测试操作时,特别是在测较小容量的电容时,要反复调换被测电容引脚接触A、B两点,才能明显地看到万用表指针的摆动。  测量时可选用万用表10k挡,用两表笔分别任意接电容的两个引脚,阻值应为无穷大;若测出阻值为零,则说明电容漏电损坏或内部击穿。  万用表选用1k挡,两只三极管的β值均为100以上,万用表的红和黑表笔分别与复合管的发射极e和集电极c相接,由于复合三极管的放大作用,把被测电容的充放电过程予以放大,使万用表指针摆幅度加大,从而便于观察。  可用万用表的10k挡直接测试电容器有无充电过程以及有无内部短路或漏电,并可根据指针向右摆动的幅度大小估计出电容器的容量。  在测试操作时,特别是在测较小容量的电容时,要反复调换被测电容引脚接触A、B两点,才能明显地看到万用表指针的摆动。  1.电位器 (英文:Potentiometer)是可变电阻器的一种。通常是由电阻体与转动或滑动系统组成,即靠一个动触点在电阻体上移动,获得部分电压输出。  电位器的结构特点——电位器的电阻体有两个固定端,通过手动调节转轴或滑柄,改变动触点在电阻体上的位置,则改变了动触点与任一个固定端之间的电阻值,从而改变了电压与电流的大小。  电位器是一种可调的电子元件。它是由一个电阻体和一个转动或滑动系统组成。当电阻体的两个固定触点之间外加一个电压时,通过转动或滑动系统改变触点在电阻体上的位置,在动触点与固定触点之间便可得到一个与动触点位置成一定关系的电压。它大多是用作分压器,这时电位器是一个四端元件。电位器基本上就是滑动变阻器,有几种样式,一般用在音箱音量开关和激光头功率大小调节,电位器是一种可调的电子元件。  用于分压的可变电阻器。在裸露的电阻体上,紧压着一至两个可移金属触点。触点位置确定电阻体任一端与触点间的阻值。按材料分线绕、碳膜、实芯式电位器;按输出与输入电压比与旋转角度的关系分直线式电位器(呈线性关系)、函数电位器(呈曲线关系)。主要参数为阻值、容差、额定功率。广泛用于电子设备,在音响和接收机中作音量控制用。  进一步分析右的波形并按时间轴展开可以看出,虽然脉冲电位器左旋和右旋的波形都相同。但左旋时,在第1状态,脚1先比脚2变为低电平;在第2状态,脚2也变为低电平;在第3状态,脚1先比脚2变为高电平;在第4状态,脚2也变为高电平;脉冲电位器右旋时,脚1和脚2输出波形的变化规律正好与左旋相反。故可根据时间识别法(比较P1.0与P1.1低电平出现和结束的时差)来识别脉冲电位器是左旋还是右旋。在动态扫描中,因采样频率操作速度等因素的影响,实际上很难测出P1.0和P1.1的波形;也很难测准P1.0与P1.1低电平出现和结束的时差,只能快速地对P1.0和P1.1电平采样。对应图1所示波形按时间轴展开,每当P1.0和P1.1的组合电平依次为01 00 10 11四种状态码组成一个字节即4BH 时,就表示左旋一位音量减1。而每当P1.0和P1.1的组合电平依次为10 00 01 11四种状态码组成一个字节即87H时;就表示右旋一位音量加1。这里将“4BH”称为左旋一位的特征码,“87H”称为右旋一位的特征码。编程的任务就是要在脉冲电位器旋转过程中识别出这两种特征码,并以此为依据,对音量进行增减控制。实际编程时可以用不同的方法识别出这两种特征码。但我们在实践中经过比较,用状态(位置)采样法实现编程是较为理想的一种方法。这种方法对采样频率和操作速度没有特别要求,也可不用定时器和中断资源,只需在主程序里面就能完成,而且具有编程简单抗干扰能力强工作可靠的优点。  由于脉冲电位器在工作过程中有三种情形:一是没有被旋转而停留在某一状态(位置);二是虽然被旋转但没有完成一个周期(4个状态)而停留在某一状态;三是不停地被旋转而超过一个周期。状态(位置)采样法就是要准确地跟踪识别和记录脉冲电位器变化的每一个状态值(包括位置值和它对应的特征码)。程序一开始就要识别出脉冲电位器所处的现态位置和其对应的特征码;随后不断跟踪扫描记录脉冲电位器的每一变化过程。显然,脉冲电位器只有旋转到第4个状态才有一个我们所需要的特征码出现,程序根据这个特征码的性质再对音量进行加减控制。  对于带开关的电位器,除了检测电位器的标称阻值及接触情况外,还应检测其开关是否正常。先旋转电位器轴柄,检查开关是否灵活,接通、断开时是否有清脆的“喀哒”声。用万用表R1Ω档,两表笔分别在电位器开关的两个外接焊片上,旋转电位器轴柄,使开关接通,万用表上指示的电阻值应由无穷大变为0Ω。再关断开关,万用表指针应从0Ω返回“∞”处。测量时应反复接通、断开电位器开关,观察开关每次动作的反应。电子元件回收公司表示,若开关在“开”的位置阻值不为0Ω,在“关”的位置阻值不为无穷大,则说明该电位器的开关已损坏。  用万用表电阻档的适当量程,分别测量双连电位器上两组电位器的电阻值是否相同且是否与标称阻值相符。再用导线分别将电位器A、C及电位器A、C短接,然后用万用表测量中心头B、B之间的电阻值,在理想的情况下,无论电位器的转轴转到什么位置,B、B两点之间的电阻值均应等于A、C或A、C两点之间的电阻值。电子元件回收公司表示,若万用表指标有偏转,则说明该电位器的同步性能不良。  拆下激光二极管,用万用表R×1k或R×10k档测量其正、反向电阻值。正常时,正向电阻值为20~40kΩ之间,反向电阻值为∞(无穷大)。若测得正向电阻值已超过50kΩ,则说明激光二极管的性能已下降。若测得的正向电阻值大于90kΩ,则说明该二极管已严重老化,不能再使用了。  用万用表测量激光二极管驱动电路中负载电阻两端的电压降,再根据欧姆定律估算出流过该管的电流值,当电流超过100mA时,若调节激光功率电位器,而电流无明显的变化,则可判断激光二极管严重老化。若电流剧增而失控,则说明激光二极管的光学谐振腔已损坏。  普通二极管是由一个PN结构成的半导体器件,具有单向导电特性。通过用万用表检测其正、反向电阻值,可以判别出二极管的电极,还可估测出二极管是否损坏。  1.极性的判别将万用表置于R×100档或R×1k档,两表笔分别接二极管的两个电极,测出一个结果后,对调两表笔,再测出一个结果。两次测量的结果中,有一次测量出的阻值较大(为反向电阻),一次测量出的阻值较小(为正向电阻)。在阻值较小的一次测量中,黑表笔接的是二极管的正极,红表笔接的是二极管的负极。  2.单负导电性能的检测及好坏的判断通常,锗材料二极管的正向电阻值为1kQ左右,反向电阻值为300左右。硅材料二极管的电阻值为5 kN左右,反向电阻值为∞ (无穷大)。正向电阻越小越好,反向电阻越大越好。正、反向电阻值相差越悬殊,说明二极管的单向导电特性越好。  若测得二极管的正、反向电阻值均接近0或阻值较小,则说明该二极管内部已击穿短路或漏电损坏。若测得二极管的正、反向电阻值均为无穷大,则说明该二极管已开路损坏。  3.反向击穿电压的检测二极管反向击穿电压(耐压值)可以用晶体管直流参数测试表测量。其方法是:测量二极管时,应将测试表的“ NPN/PNP”选择键设置为NPN状态,再将被测二极管的正极接测试表的“C”插孔内,负极插入测试表的“e”插孔,然后按下”V (BR) “键,测试表即可指示出二极管的反向击穿电压值。也可用兆欧表和万用表来测量二极管的反向击穿电压、测量时被测二_极管的负极与兆欧表的正极相接,将二极管的正极与兆欧表的负极相连,同时用万用表(置于合适的直流电压档)监测二极管两端的电压。摇动兆欧表手柄(应由慢逐渐加快),待二极管两端电压稳定而不再上升时,此电压值即是二极管的反向击穿电压。  1.正、负电极的判别从外形上看,金属封装稳压二极管管体的正极一端为平面形,负极一端为半圆面形。塑封稳压二极管管体上印有彩色标记的一端为负极,另一端为正极。对标志不清楚的稳压二极管,也可以用万用表判别其极性,测量的方法与普通二极管相同,即用万用表R ×1k档,将两表笔分别接稳压极管的两个电极,测出一个结果后,再对调两表笔进行测量。在两次测量结果中,阻值较小那一次,黑表笔接的是稳压二极管的正极,红表笔接的是稳压二极管的负极。若测得稳压二极管的正威廉希尔、反向电阻均很小或均为无穷大,则说明该二极管已击穿或开路损坏。  2.稳压值的测量用0~30V连续可调直流电源,对于13V以下的稳压二极管,可将稳压电源的输出电压调至15V,将电源正极串接1只1.5k限流电阻后与被测稳压二极管的负极相连接,  电源负极与稳压二极管的正极相接,再用万用表测量稳压二极管两端的电压值,所测的读数即为稳压二极管的稳压值。若稳压二_极管的稳压值高于15V,则应将稳压电源调至20V以上。也可用低于1000V的兆欧表为稳压二极管提供测试电源。其方法是:将兆欧表正端与稳压二极管的负极相接,兆欧表的负端与稳压二极管的正极相接后,按规定匀速摇动兆欧表手柄,同时用万用表监测稳压二极管两端电压值(万用表的电压档应视稳定电压值的大小而定),待万用表的指示电压指示稳定时,此电压值便是稳压二极管的稳定电压值。若测量稳压二极管的稳定电压值忽高忽低,则说明该二极管的性能不稳定。  1.正、反向电阻值的测量用万用表R×1 k或R×10k档, 测量双向触发二极管正、反向电阻值。正常时其正、反向电阻值均应为无穷大。若测得正、反向电阻值均很小或为0,则说明该二极管已击穿损坏。  第一-种方法是:将兆欧表的正极(E) 和负极(L) 分别接双向触发二极管的两端,用兆欧表提供击穿电压,同时用万用表的直流电压档测量出电压值,将双向触发二极管的两极对调后再测量一次。比较一下两次测量的电压值的偏差(一般为3~6V)。此偏差值越小,说明此二极管的性能越好。  第二种方法是:先用万用表测出市电电压U,然后将被测双向触发二极管串入万用表的交流电压测量回路后,接入市电电压,读出电压值U1,再将双向触发二_极管的两极对调连接后并读出电压值U2。  若U1与U2的电压值相同,但与U的电压值不同,则说明该双向触发二极管的导通性能对称性良好。若U1与U2的电压值相差较大时,则说明该双向触发二极管的导通性不对称。若U1、U2电压值均与市电U相同时,则说明该双向触发二极管内部已短路损坏。若U1、U2的电压值均为0V,则说明该双向触发- -极管内部已开路损坏。  第三种方法是:用0~50V连续可调直流电源,将电源的正极串接1只20kQ电阻器后与双向触发二极管的一端相接,将电源的负极串接万用表电流档(将其置于1mA档)后与双向触发二极管的另一端相接。逐渐增加电源电压,当电流表指针有较明显摆动时(几十微安以上),则说明此双向触发二极管已导通,此时电源的电压值即是双向触发二极管的转折电压。  三极管,全称应为半导体三极管,也称双极型晶体管、晶体三极管,是一种控制电流的半导体器件。其作用是把微弱信号放大成幅度值较大的电信号,也用作无触点开关。  三极管是半导体基本元器件之一,具有电流放大作用,是电子电路的核心元件。三极管是在一块半导体基片上制作两个相距很近的PN结,两个PN结把整块半导体分成三部分,中间部分是基区,两侧部分是发射区和集电区,排列方式有PNP和NPN两种。  晶体三极管(以下简称三极管)按材料分有两种:锗管和硅管。而每一种又有NPN和PNP两种结构形式,但使用最多的是硅NPN和锗PNP两种三极管,(其中,N是负极的意思(代表英文中Negative),N型半导体在高纯度硅中加入磷取代一些硅原子,在电压刺激下产生自由电子导电,而P是正极的意思(Positive)是加入硼取代硅,产生大量空穴利于导电)。两者除了电源极性不同外,其工作原理都是相同的,下面仅介绍NPN硅管的电流放大原理。  对于NPN管,它是由2块N型半导体中间夹着一块P型半导体所组成,发射区与基区之间形成的PN结称为发射结,而集电区与基区形成的PN结称为集电结,三条引线分别称为发射极e (Emitter)、基极b (Base)和集电极c (Collector)。如图1所示  当b点电位高于e点电位零点几伏时,发射结处于正偏状态,而C点电位高于b点电位几伏时,集电结处于反偏状态,集电极电源Ec要高于基极电源Eb。  在制造三极管时,有意识地使发射区的多数载流子浓度大于基区的,同时基区做得很薄,而且,要严格控制杂质含量,这样,一旦接通电源后,由于发射结正偏,发射区的多数载流子(电子)及基区的多数载流子(空穴)很容易地越过发射结互相向对方扩散,但因前者的浓度基大于后者,所以通过发射结的电流基本上是电子流,这股电子流称为发射极电子流。  由于基区很薄,加上集电结的反偏,注入基区的电子大部分越过集电结进入集电区而形成集电极电流Icn,只剩下很少(1-10%)的电子在基区的空穴进行复合,被复合掉的基区空穴由基极电源Eb重新补给,从而形成了基极电流Ibn.根据电流连续性原理得:  这就是说,在基极补充一个很小的Ib,就可以在集电极上得到一个较大的Ic,这就是所谓电流放大作用,Ic与Ib是维持一定的比例关系,即:  式中β--称为交流电流放大倍数,由于低频时β1和β的数值相差不大,所以有时为了方便起见,对两者不作严格区分,β值约为几十至一百多。  式中:α1也称为直流放大倍数,一般在共基极组态放大电路中使用,描述了射极电流与集电极电流的关系。  三极管是一种电流放大器件,但在实际使用中常常通过电阻将三极管的电流放大作用转变为电压放大作用。  电源Ub经过电阻Rb加在发射结上,发射结正偏,发射区的多数载流子(自由电子)不断地越过发射结进入基区,形成发射极电流Ie。同时基区多数载流子也向发射区扩散,但由于多数载流子浓度远低于发射区载流子浓度,可以不考虑这个电流,因此可以认为发射结主要是电子流。  电子进入基区后,先在靠近发射结的附近密集,渐渐形成电子浓度差,在浓度差的作用下,促使电子流在基区中向集电结扩散,被集电结电场拉入集电区形成集电极电流Ic。也有很小一部分电子(因为基区很薄)与基区的空穴复合,扩散的电子流与复合电子流之比例决定了三极管的放大能力。  由于集电结外加反向电压很大,这个反向电压产生的电场力将阻止集电区电子向基区扩散,同时将扩散到集电结附近的电子拉入集电区从而形成集电极主电流Icn。另外集电区的少数载流子(空穴)也会产生漂移运动,流向基区形成反向饱和电流,用Icbo来表示,其数值很小,但对温度却异常敏感。  (a)?测量极间电阻。将万用表置于R×100或R×1K挡,按照红、黑表笔的六种不同接法进行测试。其中,发射结和集电结的正向电阻值比较低,其他四种接法测得的电阻值都很高,约为几百千欧至无穷大。但不管是低阻还是高阻,硅材料三极管的极间电阻要痹秽材料三极管的极间电阻大得多。  (b)?三极管的穿透电流ICEO的数值近似等于管子的倍数β和集电结的反向电流ICBO的乘积。ICBO随着环境温度的升高而增长很快,ICBO的增加必然造成ICEO的增大。而ICEO的增大将直接影响管子工作的稳定性,所以在使用中应尽量选用ICEO小的管子。  通过用万用表电阻直接测量三极管e-c极之间的电阻方法,可间接估计ICEO的大小,具体方法如下:  万用表电阻的量程一般选用R×100或R×1K挡,对于PNP管,黑表管接e极,红表笔接c极,对于NPN型三极管,黑表笔接c极,红表笔接e极。要求测得的电阻越大越好。e-c间的阻值越大,说明管子的ICEO越小;反之,所测阻值越小,说明被测管的ICEO越大。一般说来,中、小功率硅管、锗材料低频管,其阻值应分别在几百千欧、几十千欧及十几千欧以上,如果阻值很小或测试时万用表指针来回晃动,则表明ICEO很大,管子的性能不稳定。  (c)?测量放大能力(β)。目前有些型号的万用表具有测量三极管hFE的刻度线及其测试插座,可以很方便地测量三极管的放大倍数。先将万用表功能开关拨至?挡,量程开关拨到ADJ位置,把红、黑表笔短接,调整调零旋钮,使万用表指针指示为零,然后将量程开关拨到hFE位置,并使两短接的表笔分开,把被测三极管插入测试插座,即可从hFE刻度线上读出管子的放大倍数。  12月13日,国家机器人检测与评定中心(简称:国评中心)在渝发布机器人检测认证信息平台,据悉,该平台将建立起国评中心服务供给与企业业务需求的高效对接通道。 据介绍,机器人检测认证信息平台将通过加强对数据资源的积累、管理、分析和应用,为行业企业提供预警、咨询、专业化解决方案等全方位的服务。 国评中心副秘书长、机器人检测认证联盟秘书长王爱国介绍,2015年成立以后,2016年国评中心在国家四部委支持和带领下成立了检测认证联盟,检测认证联盟的主要工作是在统一的认证实施规则框架下开展机器人的检测认证。 据悉,国评中心自成立以来,围绕标准检测认证等核心业务开展了一系列工作,获得了业界的广泛认可。昨日正式上线的检测认证信息平台,是国评中心进一  引言 CMOS图像传感器是近年来得到快速发展的一种新型固态图像传感器。它将图像传感部分和控制电路高度集成在同一芯片里,体积明显减小、功耗也大大降低,满足了对高度小型化、低功耗成像系统的要求。与传统的CCD图像传感器相比,CMOS图像传感器还具有集成度高、控制简单、价格低廉等诸多优点。因此随着CMOS集成电路工艺的不断进步和完善,CMOS图像传感器已经广泛应用于各种通用图像采集系统中。同时作为一种PC机与外围设备间的高速通信接口,USB具有许多突出的有点:连接简便,可热插拔,无需定位及运行安装程序,无需连接外设时关机及重启系统,实现真正的即插即用;高传输速率,USB1.1协议支持12Mb/s;不占用系统硬件资源,能够自动检  仪的实现 /  索尼三项相位差检测对焦技术专利现已公布,特许公开号:No. 、No. 和No. 。 这三项技术分别是:相机/转接环内置半透镜技术、自动对焦微调技术和双向相位差检测技术。 三项专利详情: No. 号专利详情 左:A口镜头+LA-EA2转接环+NEX机身,右:A口镜头+内置半透镜技术单反机身 公开日期:2012年7月19日 申请日期:2010年12月27日 索尼专利 相机或转接环内置半透镜技术 使用半透镜分割入射光线 相位差检测对焦系统 传感器 实现  日前在CES展会上,三星宣布即将推出Galaxy S5,三星表示下一代旗舰型产品Galaxy S5将有别于该系列的前两款产品,设计力求“回归本质”。 三星公司执行副总裁李永熙(Lee Young Hee)在接受采访时表示,“在S4发布之初,消费者并不能从机身外观直接区分出两款产品,所以市场反响并不大。这次的S5,我们将本着回归本质的原则进行设计。预计这款S5将在今年的3、4月份正式发布。” 李永熙表示,三星将要推出的Galaxy S5将在设计上回归本质,并且变化主要集中在屏幕以及设备表面的手感上。她还表示,新款旗舰机型手机中还将会加入目前十分流行的“视网膜识别技术”,但现阶段这项技术还在研究当中。 视网  技术 /  非电量检测法 局部放电发生时 常伴有光声热等现象的 发生对此局部放电检测技术中也相应出现了光 测法声测法红外热测法等非电量检测方法较 之电检测法非电量检测方法具有抗电磁干扰能力 强与试样电容无关等优点。非电量检测法包括声测法、光测法、化学检测法 声测法 介质中发生局部放电时 其瞬时释放的能量将 放电源周围的介质加热使其蒸发效果就像一个小 爆炸此时放电源如同一个声源向外发出声波 由于放电持续时间很短所发射的声波频谱很宽 可达到数MHz 要有效检测声信号并将其转化为电 信号传感器的选择是关键常用的声传感器有用 于气体中的电容麦克风condenser microphone 电介体麦克风electrets micropho  压力容器是在石油、化工、钢铁、造纸、医药、食品和城市公用等行业得到广泛使用的设备,而且与人民日常生活息息相关。据2003年的统计,我国现有固定式压力容器133万多台,罐车近16万辆,各类气瓶9 800多万只 。压力容器是具有爆炸危险的特种承压设备,承受着高温、低温、易燃、易爆、剧毒或腐蚀介质的高压力,一旦发生爆炸或泄漏,往往并发火灾和中毒等灾难性事故,造成严重的环境污染,给社会经济、生产和人民生活带来损失和危害,直接影响社会安定。 有鉴于此,国内外对压力容器的设计、制造和使用均有严格的规定和要求,而各种无损检测技术在压力容器的制造和在役定期检验中得到广泛应用。 20世纪60年代初,Green等人首先开始了声发射技术在无损检测领域方  技术研究 /  机器视觉系统可以代替人眼完成测量、定位、识别和检测等工作,不仅可以克服人眼标准的不一致性、非重复性和主观性等问题,为行业制定品质管控的数字标准,还能在高速、高光谱、高分辨率、高可靠性以及工作持续性、环境适应性等方面全面超越人眼极限。协作机器人结合机器视觉技术,日益取得重大突破,并广泛应用于自动化制造、商超、物流、电商、医药、食品等行业。   随着国内智造、物流、电商等行业的快速发展,分拣和码垛作业强度大,工作内容单一,人工作业的质量及效率普遍低下,自动化分拣与码垛系统应运而生。而传统自动化拆码垛作业中,来料的摆放经常都是无序、随机的,用传统的人工示教的方式难度大且效率低下,这就限制了自动化应用范围。为了解决此问题,泰科智能机器人研  STM32F系列属于中低端的32位ARM微,该系列芯片是意法半导体(ST)公司出品,其内核是Cortex-M3。该系列芯片按片内Flash的大小可分为三大类:小容量(16K和32K)、中容量(64K和128K)、大容量(256K、384K和512K)。 STM32F103电源管理: 2.0-3.6V供电和I/O引脚 上电/断电复位(POR/PDR)、可编程电压监测器(PVD) -4-16MHZ晶振振荡器- 内嵌经出厂调教的8MHz的RC振荡器- 内嵌带校准的40KHz的RC振荡器- 产生CPU时钟的PLL- 带校准的32KHz的RC振荡器 STM32F103调试模式: 串行单  直播回放: TI 多款MSP430 ™ 片上Sigma-Delta ADC助力高精度信号检测应用  解锁【W5500-EVB-Pico】,探秘以太网底层,得捷电子Follow me第4期来袭!  从1946年泰克诞生,到2024年新年伊始,示波器从第一台商用示波器到模拟示波器再到数字示波器,以及如今的下一代模拟信号测量不断精益求精, ...  泰克4系列B MSO(混合信号示波器)采用全新计算平台,可实现更快的测量、远程操作功能和直观的 UI。泰克公司日前推出了其中档混合信号示 ...  罗德与施瓦茨(以下简称R&S)的R&S RTS雷达测试解决方案验证了恩智浦半导体的下一代雷达传感器参考设计的性能。双方的合作推动汽车雷达的 ...  音频响应项目首先,让我们进行场景设置。假设我们想创建一些对声音有反应的东西,例如我当前的Audio-Reactive Box项目。您可能还记得,这 ...  随着我们对音频无反应项目的日益复杂,我们可能决定用提供自动增益控制的麦克风代替简单的MEMS麦克风加放大器。这是我以前与MSGEQ7相关的文 ...  是德科技携手麦吉尔大学,联合演示创纪录的 10 千米距离 1.6 Tbps O 波段相干传输  ADI有奖直播:基准电压源产品技术及应用选择 7月25日上午10:00-11:30 不容错过~  信号源与示波器分析仪通信与网络视频测试虚拟仪器高速串行测试嵌入式系统视频教程其他技术综合资讯 上一篇 : 电流感测精密电阻市场持续火热钧崴电子IPO备受瞩目 下一篇 : 图说电子元器件大全推荐收藏! 返回 首页 | 关于米兰体育 | 产品中心 | 新闻动态 | 成功案例 | 荣誉资质 | 技术支持 | 联系米兰体育 | 在线留言 全国统一热线 400-125-5358 +地址:广东省广州市米兰区99号 +传真:+86-123-4567 +邮箱:[email protected] 友情链接 微信平台 手机官网 版权所有:Copyright © 2002-2023 米兰公司 版权所有 ICP备案编号:鲁ICP备19064454号-1 HTML地图 XML地图

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